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关键词SI2323DS-T1-E3
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Si2323DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 半导体 分离式半导体 | mosfet 20v 4.7A 1.25w 39 mohms @ 4.5V | ||
SI2323DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | 半导体 分离式半导体 | mosfet 20v 3.7A 0.039ohm | ||
SI2323DS-T1 | Vishay Siliconix | 半导体 FET - 单 | mosfet P-CH 20v 3.7A sot23 | ||
SI2323DS-RC | Vishay Siliconix | R-C thermal model parameters | |||
SI2323DS | Vishay Siliconix | 半导体 | P-channel 20-V (D-S) mosfet |
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