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关键词PD54008L-E
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PD54008L-E | STMicroelectronics | 半导体 晶体管 | PD54008L-E是一种共源N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。它是为高增益，宽带商业和工业应用而设计的。它以7伏的共源模式工作，频率高达1千兆赫。PD54008L-E拥有sth1lv最新ldmos技术的卓越增益、线性度和可靠性，安装在创新的无铅smd塑料封装中，powerflat™. pde-540是便携式无线电性能的理想解决方案。 | |
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PD54008L-E | STMicroelectronics | |
半导体 分离式半导体 | transistors RF mosfet power RF transistor |
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PD54008L | STMicroelectronics | |
半导体 | RF mosfet 功率 N-Ch 25 volt 5 amp |
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