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关键词NESG2021M05-T1-A
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| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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NESG2021M05-EVNF58 | CEL | 半导体 分离式半导体 | transistors RF bipolar for nesg2021m05-A noise fig at 5.8 ghz | |
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NESG2021M05 | CEL | 半导体 | RF 锗 RO 551-nesg2021m05-A | |
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NESG2021M05-T1-A | CEL | |
半导体 分离式半导体 | RF 锗 npn sige high freq |
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NESG2021M05 | California Eastern Labs | necs npn sige high frequency transistor | ||
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NESG2021M05-T1-A | California Eastern Labs | necs npn sige high frequency transistor |
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