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关键词MAPR-002731-115M00
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    Image: MAPR-002731-115M00 MAPR-002731-115M00 MACOM 半导体 分离式半导体 transistors RF mosfet 2.7-2.9ghz gain7.6db 115w vswr: 2.1
    Image: MAPR-002731-115M00 MAPR-002731-115M00 M/A-Com Technology Solutions 半导体 RF 晶体管 (BJT) 115w, 2.7 - 3.1 ghz 10%, 36v
    Image: MAGX-002731-100L00 MAGX-002731-100L00 MACOM 半导体 分离式半导体 transistors RF jfet 2.7-3.1ghz 50volt 100w Pk gain 12db
    Image: MAGX-002731-180L00 MAGX-002731-180L00 MACOM 半导体 分离式半导体 transistors RF jfet 2.7-3.1ghz 50volt 180w Pk gain 11.6db
    Image: MAPR-002729-170M00 MAPR-002729-170M00 MACOM 半导体 分离式半导体 transistors RF mosfet 2.7-2.9ghz gain8.5db 170w vswr: 2.1
    Image: MAPR-000912-500S00 MAPR-000912-500S00 MACOM 半导体 分离式半导体 transistors RF mosfet 960-1215mhz 500w gain: 9.0db min
    Image: MAGX-002731-030L00 MAGX-002731-030L00 M/A-Com Technology Solutions 半导体 RF FET transistor,gan,30wpk,2.7-3.1ghz
    Image: MAGX-002731-100L00 MAGX-002731-100L00 M/A-Com Technology Solutions 半导体 RF FET transistor,gan,100w 2.7-3.1ghz
    Image: MAGX-002731-180L00 MAGX-002731-180L00 M/A-Com Technology Solutions 半导体 RF FET fets RF gan hemt 180w 2.7-3.1ghz
    Image: MAPR-002729-170M00 MAPR-002729-170M00 M/A-Com Technology Solutions 半导体 RF 晶体管 (BJT) 170w,2.7-3.1 ghz,100us/10%
    Image: MAPR-000912-500S00 MAPR-000912-500S00 M/A-Com Technology Solutions 半导体 RF 晶体管 (BJT) trans npn 500w 960mhz-1215mhz
    Image: MAPR-002729-170M00 MAPR-002729-170M00 Tyco Electronics radar pulsed power transistor 2.7-2.9ghz, 36v, 100レsec, 170w
    Image: MAPR-001090-350S00 MAPR-001090-350S00 M/A-Com Technology Solutions avionics pulsed power transistor 350w, 1025-1150 mhz, 10??s pulse, 1% duty

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