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Vishay Siliconix 
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SI4966DY-T1的详细信息
| 制造商： | Vishay |
|---|---|
| 产品种类： | MOSFET 功率 |
| RoHS： | 否 |
| 配置： | Dual Dual Drain |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通）： | 0.025 Ohms |
| 汲极/源极击穿电压： | 20 V |
| 闸/源击穿电压： | +/- 12 V |
| 漏极连续电流： | +/- 7.1 A |
| 功率耗散： | 2 W |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SO-8 |
| 封装： | Reel |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| ： |
