信息提示:
赞 - SI4965DYT1!
Datasheet下载地址
本地下载 >> |
SI4965DY-T1的详细信息
制造商: | Vishay |
---|---|
产品种类: | MOSFET 功率 |
RoHS: | 否 |
配置: | Dual Dual Drain |
晶体管极性: | P-Channel |
电阻汲极/源极 RDS(导通): | 0.021 Ohms |
汲极/源极击穿电压: | - 8 V |
闸/源击穿电压: | +/- 8 V |
漏极连续电流: | +/- 8 A |
功率耗散: | 2 W |
最大工作温度: | + 150 C |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SO-8 |
封装: | Reel |
最小工作温度: | - 55 C |
: |