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NXP Semiconductors 
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PSMN2R6-60PSQ的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 150 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 5.6 mOhms |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 4.5 V |
| Qg - Gate Charge： | 140 nC |
| Pd - Power Dissipation： | 326 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-220-3 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Fall Time： | 58 ns |
| Rise Time： | 50 ns |
| Factory Pack Quantity： | 1000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 87 ns |
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