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Infineon Technologies 
IPB65R225C7ATMA1的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 700 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 41 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 225 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 3.5 V |
| Qg - Gate Charge： | 20 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 63 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | TO-263-3 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Fall Time： | 10 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 6 ns |
| Series： | XPB65R225 |
| Factory Pack Quantity： | 1000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 48 ns |
| Part # Aliases： | SP000992480 |
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