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| 型号： | QSB363YR |
| 厂商： |
 Fairchild Semiconductor |
| 标准： |   |
| 分类： | 光电子 ， 光学探测器和传感器 |
| 描述： | phototransistors phototransistor Si infrared |
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QSB363YR的详细信息
| Manufacturer： | Fairchild Semiconductor |
|---|---|
| Product Category： | Phototransistors |
| RoHS： | Yes |
| Maximum Power Dissipation： | 75 mW |
| Maximum Dark Current： | 100 nA |
| Package / Case： | T-3/4 |
| Series： | QSB363 |
| Brand： | Fairchild Semiconductor |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 30 V |
| Fall Time： | 15 us |
| Maximum Operating Temperature： | + 85 C |
| Minimum Operating Temperature： | - 25 C |
| Packaging： | Reel |
| Rise Time： | 15 us |
| Factory Pack Quantity： | 1000 |
| Type： | Photo Transistor |
| Unit Weight： | 90 mg |
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