厂商Diodes Incorporated 半导体分离式半导体 ZXT12P12DXTA 数据手册，datasheet pdf下载

型号：	ZXT12P12DXTA
厂商：	Diodes Incorporated
标准：
分类：	半导体，分离式半导体
描述：	transistors bipolar - bjt dual 12v pnp
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ZXT12P12DXTA的详细信息

Manufacturer：	Diodes Incorporated
Product Category：	Transistors Bipolar - BJT
RoHS：	Yes
Brand：	Diodes Incorporated
Configuration：	Dual
Transistor Polarity：	PNP
Collector- Base Voltage VCBO：	- 20 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max：	- 12 V
Emitter- Base Voltage VEBO：	7.5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage：	- 150 mV
Maximum DC Collector Current：	3 A
Gain Bandwidth Product fT：	85 MHz
Maximum Operating Temperature：	+ 150 C
Mounting Style：	SMD/SMT
Package / Case：	MSOP-8
Continuous Collector Current：	- 3 A
DC Collector/Base Gain hfe Min：	300 at 10 mA at 2 V, 300 at 1 A at 2 V, 200 at 3 A at 2 V, 20 at 12 A at 2 V
DC Current Gain hFE Max：	300 at 10 mA at 2 V
Maximum Power Dissipation：	0.87 W
Minimum Operating Temperature：	- 55 C
Packaging：	Reel
Factory Pack Quantity：	1000

ZXT12P12DXTA