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| 型号： | ZXMC10A816N8TC |
| 厂商： |
 Diodes Incorporated |
| 标准： |   |
| 分类： | 半导体 ， 分离式半导体 |
| 描述： | mosfet 100v complementary dual enhancemnt mode |
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Datasheet下载地址
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ZXMC10A816N8TC的详细信息
| Manufacturer： | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Diodes Incorporated |
| Transistor Polarity： | N and P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 2.1 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 230 mOhms, 235 mOhms |
| Configuration： | Complementary |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 2.1 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOIC-8 |
| Packaging： | Reel |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 5 ns, 12 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 2.1 ns, 5.2 ns |
| Factory Pack Quantity： | 2500 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 12.1 ns, 20 ns |
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