厂商Diodes Incorporated 半导体分离式半导体 ZTX853STZ 数据手册，datasheet pdf下载

型号：	ZTX853STZ
厂商：	Diodes Incorporated
标准：
分类：	半导体，分离式半导体
描述：	transistors bipolar - bjt npn big chip seline
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ZTX853STZ的详细信息

Manufacturer：	Diodes Incorporated
Product Category：	Transistors Bipolar - BJT
RoHS：	Yes
Brand：	Diodes Incorporated
Configuration：	Single
Transistor Polarity：	NPN
Collector- Base Voltage VCBO：	200 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max：	100 V
Emitter- Base Voltage VEBO：	6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage：	160 mV
Maximum DC Collector Current：	4 A
Gain Bandwidth Product fT：	130 MHz
Maximum Operating Temperature：	+ 150 C
Mounting Style：	Through Hole
Package / Case：	TO-92
Continuous Collector Current：	4 A
DC Collector/Base Gain hfe Min：	100 at 10 mA at 2 V, 100 at 2 A at 2 V, 50 at 4 A at 2 V, 20 at 10 A at 2 V
DC Current Gain hFE Max：	100 at 10 mA at 2 V
Maximum Power Dissipation：	1.2 W
Minimum Operating Temperature：	- 55 C
Packaging：	Bulk
Factory Pack Quantity：	2000

ZTX853STZ