型号:

VQ1001J

厂商: Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类: 半导体晶体管
描述: mosfet 功率 QD 30v 0.83a
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VQ1001J的详细信息

制造商: Vishay
RoHS:
配置: Quad
晶体管极性: N-Channel
电阻汲极/源极 RDS(导通): 1 Ohm @ 12 V
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 0.83 A
功率耗散: 2000 mW
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: PDIP-14
最小工作温度: - 55 C