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TSM10N60CI的详细信息
| Manufacturer： | Taiwan Semiconductor |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 600 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 10 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 750 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 4 V |
| Qg - Gate Charge： | 45.8 nC |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | ITO-220-3 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Taiwan Semiconductor |
| Factory Pack Quantity： | 1000 |
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