厂商Toshiba Semiconductor and Storage 半导体 FET - 单 TK6A65D(STA4,Q,M) 数据手册，datasheet pdf下载

型号：	TK6A65D(STA4,Q,M)
厂商：	Toshiba Semiconductor and Storage
标准：
分类：	半导体， FET - 单
描述：	mosfet N-CH 650v 5A TO-220sis
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TK6A65D(STA4,Q,M)的详细信息

Datasheets：
TK6A65D：
Product Photos：
TK6A60W,S4VX：
Catalog Drawings：
TO-220SIS Side 3：
TO-220SIS Side 2：
TO-220SIS Side 1：
Standard Package ：	50
Category：	Discrete Semiconductor Products
Family：	FETs - Single
Series：	-
Packaging ：	Tube
FET Type：	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature：	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)：	650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：	6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：	1.11 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs：	20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds：	1050pF @ 25V
Power - Max：	45W
Mounting Type：	Through Hole
Package / Case：	TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package：	TO-220SIS
Dynamic Catalog：	N-Channel Standard FETs
Other Names：	TK6A65D(STA4QM)TK6A65DSTA4QM

TK6A65D(STA4,Q,M)