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TK39J60W,S1VQ的详细信息
| Manufacturer： | Toshiba |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 10 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 38.8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 65 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Qg - Gate Charge： | 135 nC |
| Pd - Power Dissipation： | 270 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-3P-3 |
| Brand： | Toshiba |
| Ciss - Input Capacitance： | 4100 pF |
| Factory Pack Quantity： | 25 |
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