 |
STMicroelectronics 
Datasheet下载地址
| 本地下载 >> 厂商下载2 >> 第三方平台下载 >> |
STW33N60M2的详细信息
| Manufacturer： | STMicroelectronics |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 25 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 26 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 108 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 3 V |
| Qg - Gate Charge： | 45.5 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 190 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-247-3 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | STMicroelectronics |
| Fall Time： | 9 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 9.6 ns |
| Series： | STW33N60M2 |
| Factory Pack Quantity： | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 109 ns |
STW33N60M2相关文档
扫码手机查看更方便
同类器件
