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STMicroelectronics 
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STGWT80H65DFB的详细信息
| Manufacturer： | STMicroelectronics |
|---|---|
| Product Category： | IGBT Transistors |
| RoHS： | Yes |
| Configuration： | Single |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage： | 1.6 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage： | +/- 20 V |
| Continuous Collector Current at 25 C： | 120 A |
| Gate-Emitter Leakage Current： | 250 nA |
| Power Dissipation： | 469 W |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Package / Case： | TO-3P |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | STMicroelectronics |
| Continuous Collector Current Ic Max： | 80 A |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Series： | STGWT80H65DFB |
| Factory Pack Quantity： | 30 |
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