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| 型号： | STGB6NC60HDT4 |
| 厂商： |
 STMicroelectronics |
| 标准： |   |
| 分类： | 半导体 ， 分离式半导体 |
| 描述： | igbt transistors powermesh TM igbt |
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STGB6NC60HDT4的详细信息
| Manufacturer： | STMicroelectronics |
|---|---|
| Product Category： | IGBT Transistors |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | STMicroelectronics |
| Configuration： | Single |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage： | 2.7 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage： | +/- 20 V |
| Gate-Emitter Leakage Current： | 100 nA |
| Power Dissipation： | 80 W |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Package / Case： | D2PAK-3 |
| Packaging： | Reel |
| Continuous Collector Current Ic Max： | 15 A |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Series： | STGB6NC60HD |
| Factory Pack Quantity： | 1000 |
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