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Vishay Siliconix 
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SQD50P04-09L-GE3的详细信息
| Manufacturer： | Vishay |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Vishay / Siliconix |
| Transistor Polarity： | P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | - 40 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | - 50 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 9.4 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Qg - Gate Charge： | 103 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation： | 136 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | DPAK-2 |
| Packaging： | Reel |
| Fall Time： | 19 nS |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 15 nS |
| Series： | SQD50xxx |
| Factory Pack Quantity： | 2000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 61 nS |
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