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Vishay Siliconix 
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SIHB30N60E-GE3的详细信息
| Manufacturer： | Vishay |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Vishay / Siliconix |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 29 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 125 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Qg - Gate Charge： | 85 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 250 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | D2PAK-2 |
| Packaging： | Tube |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 36 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 5.4 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 32 ns |
| Series： | SIHxxxN60x |
| Factory Pack Quantity： | 50 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 63 ns |
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