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Vishay Siliconix 
SIE836DF-T1-GE3的详细信息
| Datasheets： | |
|---|---|
| SIE836DF： | |
| Product Photos： | |
| Pkg 5847： | |
| Standard Package ： | 3,000 |
| Category： | Discrete Semiconductor Products |
| Family： | FETs - Single |
| Series： | TrenchFET® |
| Packaging ： | Tape & Reel (TR) |
| FET Type： | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature： | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss)： | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： | 18.3A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs： | 130 mOhm @ 4.1A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id： | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs： | 41nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 100V |
| Power - Max： | 104W |
| Mounting Type： | Surface Mount |
| Package / Case： | 10-PolarPAK® (SH) |
| Supplier Device Package： | 10-PolarPAK® (SH) |
| Other Names： | SIE836DF-T1-GE3TRSIE836DFT1GE3 |
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