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Vishay Siliconix 
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SI8817DB-T2-E1的详细信息
| Manufacturer： | Vishay |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Vishay / Siliconix |
| Transistor Polarity： | P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | - 20 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 8 V |
| Id - Continuous Drain Current： | - 2.9 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 76 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | - 1 V |
| Qg - Gate Charge： | 7.5 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 900 mW |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | Micro Foot-4 0.8x0.8 |
| Packaging： | Reel |
| Forward Transconductance - Min： | 5 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Series： | TrenchFET |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Tradename： | P-Channel Gen III |
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