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SI8401DB-T1的详细信息
制造商: | Vishay |
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产品种类: | MOSFET 小信号 |
RoHS: | 否 |
配置: | Single Dual Drain |
晶体管极性: | P-Channel |
电阻汲极/源极 RDS(导通): | 0.065 Ohm @ 4.5 V |
汲极/源极击穿电压: | 20 V |
闸/源击穿电压: | +/- 12 V |
漏极连续电流: | 3.6 A |
功率耗散: | 1470 mW |
最大工作温度: | + 150 C |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | Micro Foot |
封装: | Reel |
最小工作温度: | - 55 C |
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