 |
Vishay Siliconix 
Datasheet下载地址
| 本地下载 >> 厂商下载2 >> 第三方平台下载 >> |
SI4966DY-T1-GE3的详细信息
| Manufacturer： | Vishay |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Vishay / Siliconix |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 12 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 7.1 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 25 mOhms |
| Configuration： | Dual |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 2 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOIC-8 Narrow |
| Packaging： | Reel |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 40 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 40 ns |
| Factory Pack Quantity： | 2500 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 90 ns |
| Part # Aliases： | SI4966DY-GE3 |
扫码手机查看更方便
同类器件
