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Vishay Siliconix 
SI2365EDS-T1-GE3的详细信息
| Manufacturer： | Vishay |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Vishay / Siliconix |
| Transistor Polarity： | P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | - 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | - 5.9 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 32 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | - 1 V |
| Qg - Gate Charge： | 13.8 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 1.7 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-23-3 |
| Packaging： | Reel |
| Fall Time： | 21 us |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 32 us |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Tradename： | TrenchFET |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 62 us |
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