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| 型号： | SDP8406-004 |
| 厂商： |
Honeywell |
| 标准： |  |
| 分类： | 光电子 ， 光学探测器和传感器 |
| 描述： | phototransistors silicon phototransis |
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SDP8406-004的详细信息
| Manufacturer： | Honeywell |
|---|---|
| Product Category： | Phototransistors |
| RoHS： | Yes |
| Maximum Power Dissipation： | 100 mW |
| Maximum Dark Current： | 100 nA |
| Brand： | Honeywell |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 30 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage： | 30 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage： | 0.4 V |
| Fall Time： | 15 us |
| Maximum Operating Temperature： | + 85 C |
| Minimum Operating Temperature： | - 40 C |
| Product： | Phototransistors |
| Rise Time： | 15 us |
| Type： | Photodetector Transistors |
| Wavelength： | 880 nm |
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