NXP Semiconductors 
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PSMN8R5-100ESQ的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 22.6 mOhms |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 4 V |
| Qg - Gate Charge： | 111 nC |
| Pd - Power Dissipation： | 263 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | I2PAK-3 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Fall Time： | 43 ns |
| Rise Time： | 35 ns |
| Factory Pack Quantity： | 1000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 87 ns |
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