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NXP Semiconductors 
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PSMN5R5-60YS,115的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 8.3 mOhms |
| Configuration： | Single Triple Source |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 4.6 V |
| Qg - Gate Charge： | 56 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation： | 130 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | LFPAK-4 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 14 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 24 ns |
| Factory Pack Quantity： | 1500 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 44 ns |
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- Leaflet: 25 V to 100 V MOSFETs in Power-SO8 (v.1.0)
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