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NXP Semiconductors 
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PSMN3R0-60BS,118的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 3.2 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation： | 306 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | D2PAK-2 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Factory Pack Quantity： | 800 |
PSMN3R0-60BS,118相关文档
- Thermal model: PSMN3R0-60BS Thermal model (v.1.0)
- Selection guide: NXP's Power MOSFET Selection Guide 2012; Smaller, faster, cooler (v.2.1)
- Application note: Understanding Power MOSFET Datasheet Parameters (v.1.0)
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