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NXP Semiconductors 
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PSMN2R4-30YLDX的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 2.2 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 3.1 mOhms |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 2.2 V |
| Qg - Gate Charge： | 31.3 nC |
| Pd - Power Dissipation： | 106 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | LFPAK33-4 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 13.9 ns |
| Rise Time： | 27.5 ns |
| Factory Pack Quantity： | 1500 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 17.4 ns |
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