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NXP Semiconductors 
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PSMN013-100ES,127的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 90 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 47 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 30 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 3 V |
| Pd - Power Dissipation： | 170 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | I2PAK-3 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Factory Pack Quantity： | 50 |
PSMN013-100ES,127相关文档
- Selection guide: NXP's Power MOSFET Selection Guide 2012; Smaller, faster, cooler (v.2.1)
- Application note: Understanding Power MOSFET Datasheet Parameters (v.1.0)
- SPICE model: PSMN013-100ES Spice model (v.1.0)
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