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NXP Semiconductors 
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PMZB670UPE,315的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | - 20 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 8 V |
| Id - Continuous Drain Current： | - 680 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 850 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Pd - Power Dissipation： | 715 mW |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | DFN1006B-3 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Factory Pack Quantity： | 10000 |
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- Line card: Broad small-signal MOSFET portfolio to suit a wide range of applications (v.2.0)
- Selection guide: NXP's Power MOSFET Selection Guide 2012; Smaller, faster, cooler (v.2.1)
- Application note: Understanding Power MOSFET Datasheet Parameters (v.1.0)
- S-parameter: PMZB670UPE.06_02_2012 Spice parameter (v.1.0)
- PCN: Customer Information Notification
- PCN: Customer Information Notification
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