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NXP Semiconductors 
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PMBT5551,235的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | Transistors Bipolar - BJT |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Configuration： | Single |
| Transistor Polarity： | NPN |
| Collector- Base Voltage VCBO： | 180 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 160 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO： | 6 V |
| Maximum DC Collector Current： | 0.3 A |
| Gain Bandwidth Product fT： | 300 MHz |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-23 |
| DC Collector/Base Gain hfe Min： | 80 at 1 mA at 5 V, 80 at 10 mA at 5 V, 30 at 50 mA at 5 V |
| DC Current Gain hFE Max： | 80 at 1 mA at 5 V |
| Maximum Power Dissipation： | 250 mW |
| Minimum Operating Temperature： | - 65 C |
| Packaging： | Reel |
| Factory Pack Quantity： | 10000 |
| Part # Aliases： | /T3 PMBT5551 |
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