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NXP Semiconductors 
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PHK31NQ03LT,518的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 30.4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 4.4 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 6.9 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SO-8 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 26 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 62 ns |
| Factory Pack Quantity： | 2500 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 54 ns |
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- SPICE model: PHK31NQ03LT SPICE model (v.1.3)
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- Application note: Logic level VGS ratings for NXP power MOSFETs (v.1.0)
- Selection guide: Powerful solutions for DC/DC conversion (v.1.0)
- PCN: 201403006I
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