 |
NXP Semiconductors 
Datasheet下载地址
| 本地下载 >> 厂商下载2 >> 第三方平台下载 >> |
NX3008PBKW,115的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | - 30 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 200 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 4.1 Ohms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 1.1 V |
| Qg - Gate Charge： | 0.72 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 260 mW |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-323-3 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 38 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 160 mS |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 30 ns |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 65 ns |
NX3008PBKW,115相关文档
- Application note: Understanding Power MOSFET Datasheet Parameters (v.1.0)
- Selection guide: NXP's Power MOSFET Selection Guide 2012; Smaller, faster, cooler (v.2.1)
- S-parameter: NX3008PBKW.30_01_2012 Spice parameter (v.1.0)
- Line card: Broad small-signal MOSFET portfolio to suit a wide range of applications (v.2.0)
- PCN: Customer Information Notification
扫码手机查看更方便
同类器件
