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NXP Semiconductors 
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NX3008NBKV,115的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 8 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 400 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 1 Ohms |
| Configuration： | Dual |
| Qg - Gate Charge： | 0.52 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 390 mW |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-666-6 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Forward Transconductance - Min： | 310 mS |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Factory Pack Quantity： | 4000 |
NX3008NBKV,115相关文档
- S-parameter: NX3008NBKV.01_02_2012 Spice parameter (v.1.0)
- Selection guide: NXP's Power MOSFET Selection Guide 2012; Smaller, faster, cooler (v.2.1)
- Line card: Broad small-signal MOSFET portfolio to suit a wide range of applications (v.2.0)
- Application note: Understanding Power MOSFET Datasheet Parameters (v.1.0)
- PCN: Customer Information Notification
- PCN: Customer Information Notification
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