ON Semiconductor 
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NVMD6N03R2G的详细信息
| Manufacturer： | ON Semiconductor |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 24 mOhms |
| Configuration： | Dual |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 1.8 V |
| Qg - Gate Charge： | 19 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 2 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOIC-8 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | ON Semiconductor |
| Fall Time： | 34 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 27 ns |
| Factory Pack Quantity： | 2500 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 22 ns |
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- Package Drawing: SOIC-8 Narrow Body
- EOL: Product Discontinuance
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