ON Semiconductor 
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NVD5117PLT4G的详细信息
| Manufacturer： | ON Semiconductor |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | - 60 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | - 61 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 16 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Qg - Gate Charge： | 85 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation： | 118 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | DPAK-4 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | ON Semiconductor |
| Fall Time： | 132 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 195 ns |
| Series： | NVD5117PL |
| Factory Pack Quantity： | 2500 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 50 ns |
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