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NE3512S02-A的详细信息
| Manufacturer： | CEL |
|---|---|
| Product Category： | Transistors RF JFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | CEL |
| Type： | GaAs HEMT |
| Forward Transconductance - Min： | 55 mS |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 4 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | - 3 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 70 mA |
| Frequency： | 12 GHz |
| Gain： | 13.5 dB |
| Pd - Power Dissipation： | 165 mW |
| Maximum Operating Temperature： | + 125 C |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | S0-2 |
| Gate-Source Cutoff Voltage： | 4 V |
| Noise Figure： | 0.35 dB |
| Product： | RF JFET |
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