 |
NXP Semiconductors 
Datasheet下载地址
| 本地下载 >> |
MRFX1K80H-27MHZ的详细信息
| 制造商： | NXP |
|---|---|
| 产品种类： | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| RoHS： | 详细信息 |
| 晶体管极性： | Dual N-Channel |
| Id-连续漏极电流： | 43 A |
| Vds-漏源极击穿电压： | - 0.5 V, 179 V |
| 增益： | 25.1 dB |
| 输出功率： | 1.8 kW |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | NI-1230H-4 |
| 工作频率： | 1.8 MHz to 400 MHz |
| 系列： | MRFX1K80 |
| 类型： | RF Power MOSFET |
| 商标： | NXP Semiconductors |
| 正向跨导 - 最小值： | 44.7 S |
| 通道数量： | 2 Channel |
| Pd-功率耗散： | 2247 W |
| 产品类型： | RF MOSFET Transistors |
| 工厂包装数量： | 1 |
| 子类别： | MOSFETs |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 6 V, 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2.1 V |
相关器件
扫码手机查看更方便
同类器件
