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IXYS 
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IXXN110N65B4H1的详细信息
| Manufacturer： | IXYS |
|---|---|
| Product Category： | IGBT Transistors |
| RoHS： | Yes |
| Configuration： | Single |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage： | 2.1 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage： | 30 V |
| Continuous Collector Current at 25 C： | 215 A |
| Gate-Emitter Leakage Current： | 100 nA |
| Power Dissipation： | 750 W |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Package / Case： | SOT-227 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | IXYS |
| Continuous Collector Current Ic Max： | 110 A |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Series： | IXXN110N65 |
| Factory Pack Quantity： | 10 |
| Tradename： | XPT |
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