IXYS 
IXTV200N10T的详细信息
| Datasheets： | |
|---|---|
| IXTV200N10T(S)： | |
| Product Photos： | |
| IXTV200N10T： | |
| PCN Obsolescence/ EOL： | |
| Multiple Devices 16/Dec/2013： | |
| Standard Package ： | 50 |
| Category： | Discrete Semiconductor Products |
| Family： | FETs - Single |
| Series： | TrenchMV™ |
| Packaging ： | Tube |
| FET Type： | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature： | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss)： | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： | 200A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs： | 5.5 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id： | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs： | 152nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds： | 9400pF @ 25V |
| Power - Max： | 550W |
| Mounting Type： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-220-3, Short Tab |
| Supplier Device Package： | PLUS220 |
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