IXYS 
IXTN8N150L的详细信息
| Manufacturer： | IXYS |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 1.5 kV |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 7.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 3.6 Ohms |
| Configuration： | Single Dual Source |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 5 V |
| Qg - Gate Charge： | 250 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 545 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-227B-4 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | IXYS |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 95 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 1.4 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 18 ns |
| Series： | IXTN8N150 |
| Factory Pack Quantity： | 10 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 90 ns |
| Unit Weight： | 38 g |
扫码手机查看更方便
同类器件
