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IXYS 
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IXTN200N10L2的详细信息
| Manufacturer： | IXYS |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 178 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 11 mOhms |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 830 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-227B-4 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | IXYS |
| Forward Transconductance - Min： | 90 S/55 S |
| Series： | IXTN200N10 |
| Factory Pack Quantity： | 10 |
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