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IXYS 
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IXFN82N60Q3的详细信息
| Manufacturer： | IXYS |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 66 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 75 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Qg - Gate Charge： | 275 nC |
| Pd - Power Dissipation： | 960 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-227B-4 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | IXYS |
| Rise Time： | 300 ns |
| Series： | IXFN82N60 |
| Factory Pack Quantity： | 10 |
| Tradename： | HiPerFET |
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