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IXYS 
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IXFB110N60P3的详细信息
| Manufacturer： | IXYS |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 110 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 56 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 5 V |
| Qg - Gate Charge： | 245 nC |
| Pd - Power Dissipation： | 1.89 kW |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | PLUS 264-3 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | IXYS |
| Fall Time： | 11 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 105 S, 65 S |
| Rise Time： | 19 ns |
| Series： | IXFB110N60 |
| Factory Pack Quantity： | 25 |
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