 |
International Rectifier 
Datasheet下载地址
| 本地下载 >> 厂商下载2 >> 第三方平台下载 >> |
IRFR18N15DPBF的详细信息
| Manufacturer： | International Rectifier |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 150 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 18 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 125 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 5.5 V |
| Qg - Gate Charge： | 28 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation： | 110 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | DPAK-2 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | International Rectifier |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Ciss - Input Capacitance： | 900 pF |
| Fall Time： | 9.8 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 4.2 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 25 ns |
| Factory Pack Quantity： | 75 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 15 ns |
IRFR18N15DPBF相关文档
扫码手机查看更方便
同类器件
