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Infineon Technologies 
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IPP65R190CFD的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 17.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 190 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 4 V |
| Qg - Gate Charge： | 68 nC |
| Pd - Power Dissipation： | 151 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-220-3 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Fall Time： | 6.4 ns |
| Rise Time： | 8.4 ns |
| Series： | IPP65R190 |
| Factory Pack Quantity： | 500 |
| Tradename： | CoolMOS |
| Part # Aliases： | IPP65R190CFDXKSA1 SP000881160 |
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