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Infineon Technologies 
IPI111N15N3 G的详细信息
| Datasheets： | |
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| IPB108N15N3 G,IPx111N15N3 G： | |
| Product Photos： | |
| TO-262-3： | |
| PCN Other： | |
| Multiple Changes 09/Jul/2014： | |
| Standard Package ： | 500 |
| Category： | Discrete Semiconductor Products |
| Family： | FETs - Single |
| Series： | OptiMOS™ |
| Packaging ： | Tube |
| FET Type： | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature： | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss)： | 150V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： | 83A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs： | 11.1 mOhm @ 83A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id： | 4V @ 160µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs： | 55nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds： | 3230pF @ 75V |
| Power - Max： | 214W |
| Mounting Type： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Supplier Device Package： | PG-TO262-3 |
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